ON Semiconductor - NVBLS0D7N04M8TXG

KEY Part #: K6402003

NVBLS0D7N04M8TXG 価格設定(USD) [38352個在庫]

  • 1 pcs$1.01949

品番:
NVBLS0D7N04M8TXG
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
NMOS TOLL 40V 1.2 MOHM.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVBLS0D7N04M8TXG 製品の属性

品番 : NVBLS0D7N04M8TXG
メーカー : ON Semiconductor
説明 : NMOS TOLL 40V 1.2 MOHM
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 240A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 0.75 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 188nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 12000pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 357W (Tj)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-HPSOF
パッケージ/ケース : 8-PowerSFN

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