Infineon Technologies - BSP298H6327XUSA1

KEY Part #: K6402078

BSP298H6327XUSA1 価格設定(USD) [140209個在庫]

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品番:
BSP298H6327XUSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, パワードライバーモジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSP298H6327XUSA1 製品の属性

品番 : BSP298H6327XUSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223
シリーズ : SIPMOS®
部品ステータス : Not For New Designs
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 400V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 500mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : -
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 400pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.8W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-SOT223-4
パッケージ/ケース : TO-261-4, TO-261AA

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