IXYS - MUBW50-12T8

KEY Part #: K6532906

MUBW50-12T8 価格設定(USD) [849個在庫]

  • 1 pcs$57.70574
  • 5 pcs$57.41864

品番:
MUBW50-12T8
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MODULE IGBT CBI E3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-RF, ダイオード-ツェナー-シングル and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS MUBW50-12T8 electronic components. MUBW50-12T8 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MUBW50-12T8, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MUBW50-12T8 製品の属性

品番 : MUBW50-12T8
メーカー : IXYS
説明 : MODULE IGBT CBI E3
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench
構成 : Three Phase Inverter with Brake
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 80A
パワー-最大 : 270W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.15V @ 15V, 50A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 2.7mA
入力容量(Cies)@ Vce : 3.5nF @ 25V
入力 : Three Phase Bridge Rectifier
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 125°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : E3
サプライヤーデバイスパッケージ : E3

あなたも興味があるかもしれません
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT

  • VS-GB75LA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A LS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT

  • VS-GT140DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 200A 652W SOT-227.

  • VS-GT120DA65U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG.