IPD90N06S4L03ATMA2 価格設定（USD） [106613個在庫]
- 1 pcs$0.34693
- 2,500 pcs$0.29345
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, パワードライバーモジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPD90N06S4L03ATMA2 electronic components. IPD90N06S4L03ATMA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD90N06S4L03ATMA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPD90N06S4L03ATMA2 製品の属性
品番 :
IPD90N06S4L03ATMA2
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
90A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
3.5 mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.2V @ 90µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
170nC @ 10V
Vgs（最大） :
±16V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
13000pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
150W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO252-3-11
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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