IPS70R1K4P7SAKMA1 価格設定（USD） [121455個在庫]
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- 1,000 pcs$0.10739
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO251.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPS70R1K4P7SAKMA1 electronic components. IPS70R1K4P7SAKMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPS70R1K4P7SAKMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPS70R1K4P7SAKMA1 製品の属性
品番 :
IPS70R1K4P7SAKMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO251
シリーズ :
CoolMOS™ P7
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
700V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.4 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.5V @ 40µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
4.7nC @ 10V
Vgs（最大） :
±16V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
158pF @ 400V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
22.7W (Tc)
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO251-3
パッケージ/ケース :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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