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- 品番:
- SI6467BDQ-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI6467BDQ-T1-GE3 electronic components. SI6467BDQ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI6467BDQ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI6467BDQ-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SI6467BDQ-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
12V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6.8A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.8V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
12.5 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
850mV @ 450µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
70nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.05W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-TSSOP
パッケージ/ケース :
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
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