説明 :
MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
51A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
12.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
4V @ 90µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
14nC @ 6V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
1515pF @ 50V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-PQFN (5x6)