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GeneSiC Semiconductor - 2N7635-GA

KEY Part #: K6404292

2N7635-GA 価格設定（USD） [8725個在庫]

  • 10 pcs$112.26577
品番:
2N7635-GA
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
TRANS SJT 650V 4A TO-257.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor 2N7635-GA electronic components. 2N7635-GA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2N7635-GA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2N7635-GA 製品の属性

品番 : 2N7635-GA
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : TRANS SJT 650V 4A TO-257
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : -
技術 : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 4A (Tc) (165°C)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : -
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 415 mOhm @ 4A
Vgs（th）（最大）@ Id : -
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : -
Vgs（最大） : -
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 324pF @ 35V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 47W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 225°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-257
パッケージ/ケース : TO-257-3
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