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- 品番:
- IPP04N03LA
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 25V 80A TO-220AB.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPP04N03LA electronic components. IPP04N03LA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP04N03LA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPP04N03LA 製品の属性
品番 :
IPP04N03LA
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 25V 80A TO-220AB
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
25V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
80A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4.2 mOhm @ 55A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 60µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
32nC @ 5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3877pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
107W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO220-3
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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