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- 品番:
- NTLJD4150PTBG
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NTLJD4150PTBG electronic components. NTLJD4150PTBG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTLJD4150PTBG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTLJD4150PTBG 製品の属性
品番 :
NTLJD4150PTBG
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 P-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.8A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
135 mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
4.5nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
300pF @ 15V
パワー-最大 :
700mW
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-WDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-WDFN (2x2)
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