[3771個在庫]
- 品番:
- TPC8207(TE12L,Q)
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPC8207(TE12L,Q) electronic components. TPC8207(TE12L,Q) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPC8207(TE12L,Q), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPC8207(TE12L,Q) 製品の属性
品番 :
TPC8207(TE12L,Q)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
20 mOhm @ 4.8A, 4V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.2V @ 200µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
22nC @ 5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2010pF @ 10V
パワー-最大 :
450mW
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOP (5.5x6.0)
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- VMM90-09P
- TPC8405(TE12L,Q,M)
- GWM180-004X2-SLSAM
- GWM180-004X2-SL
- BUK9MNN-65PKK,518
- SI7905DN-T1-E3
- SP8J5FU6TB
- IRF7309PBF
- EPC2105ENG
- APTC90AM60SCTG
- APTC60DSKM70T1G
- UPA2670T1R-E2-AX
- AO5800E
- ECH8672-TL-H
- AON4605
- IRLHS6376TR2PBF
- SI6933DQ-T1-GE3
- SI4622DY-T1-GE3
- ALD1115MAL
- MP6K31TR
- SP8K1FU6TB
- NTHD4102PT3G
- SIA914DJ-T1-E3
- SI9933BDY-T1-E3
- SI4834BDY-T1-E3
- NTJD2152PT2G
- FDW2510NZ
- ZXMC4A16DN8TC
- NTJD4001NT1
- TPC8207(TE12L)
- IRF7106
- PMWD20XN,118
- SI7540ADP-T1-GE3
- SQJ262EP-T1_GE3
- IPG20N10S4L35AATMA1
- SH8M13GZETB
- SH8K41GZETB
- SIA921EDJ-T4-GE3
- QH8KA2TCR
- BSD235CH6327XTSA1