Infineon Technologies - IPP65R310CFDXKSA1

KEY Part #: K6392757

IPP65R310CFDXKSA1 価格設定(USD) [34256個在庫]

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品番:
IPP65R310CFDXKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP65R310CFDXKSA1 製品の属性

品番 : IPP65R310CFDXKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220
シリーズ : CoolMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 11.4A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 310 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 440µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 41nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1100pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 104.2W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO220-3
パッケージ/ケース : TO-220-3

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