IXYS - IXTQ120N20P

KEY Part #: K6395064

IXTQ120N20P 価格設定(USD) [12463個在庫]

  • 1 pcs$3.65543
  • 30 pcs$3.63724

品番:
IXTQ120N20P
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 200V 120A TO-3P.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-シングル and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS IXTQ120N20P electronic components. IXTQ120N20P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTQ120N20P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTQ120N20P 製品の属性

品番 : IXTQ120N20P
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 200V 120A TO-3P
シリーズ : PolarHT™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 120A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 22 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 152nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 6000pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 714W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-3P
パッケージ/ケース : TO-3P-3, SC-65-3