EPC - EPC8010

KEY Part #: K6416436

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

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品番 : EPC8010

メーカー : EPC

説明 : GAN TRANS 100V 2.7A BUMPED DIE

シリーズ : eGaN®

部品ステータス : Active

FETタイプ : N-Channel

技術 : GaNFET (Gallium Nitride)

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 100V

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 2.7A (Ta)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 5V

Rds On（最大）@ Id、Vgs : 160 mOhm @ 500mA, 5V

Vgs（th）（最大）@ Id : 2.5V @ 250µA

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 0.48nC @ 5V

Vgs（最大） : +6V, -4V

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 55pF @ 50V

FET機能 : -

消費電力（最大） : -

動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ : Surface Mount

サプライヤーデバイスパッケージ : Die

パッケージ/ケース : Die

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