IXYS - IXFN66N50Q2

KEY Part #: K6413301

[13147個在庫]


    品番:
    IXFN66N50Q2
    メーカー:
    IXYS
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in IXYS IXFN66N50Q2 electronic components. IXFN66N50Q2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN66N50Q2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXFN66N50Q2 製品の属性

    品番 : IXFN66N50Q2
    メーカー : IXYS
    説明 : MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B
    シリーズ : HiPerFET™
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 500V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 66A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 80 mOhm @ 500mA, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 8mA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 199nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±30V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 6800pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 735W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Chassis Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-227B
    パッケージ/ケース : SOT-227-4, miniBLOC

    あなたも興味があるかもしれません
    • IRF5802TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

    • 2N7000RLRMG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

    • BTS282Z E3180A

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.

    • IRFR3910CPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 16A DPAK.

    • IRFR3303CPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 33A DPAK.

    • 2SK3127(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 30V 45A TO220SM.