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- 品番:
- IXFN66N50Q2
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-RF, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFN66N50Q2 electronic components. IXFN66N50Q2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN66N50Q2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFN66N50Q2 製品の属性
品番 :
IXFN66N50Q2
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B
シリーズ :
HiPerFET™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
500V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
66A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
80 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 8mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
199nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
6800pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
735W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-227B
パッケージ/ケース :
SOT-227-4, miniBLOC
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