Infineon Technologies - IPP50R350CPHKSA1

KEY Part #: K6402155

IPP50R350CPHKSA1 価格設定(USD) [8799個在庫]

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品番:
IPP50R350CPHKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP50R350CPHKSA1 製品の属性

品番 : IPP50R350CPHKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3
シリーズ : CoolMOS™
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 500V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 10A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 350 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 370µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1020pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 89W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO220-3-1
パッケージ/ケース : TO-220-3

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