SIJ186DP-T1-GE3 価格設定（USD） [172802個在庫]
- 1 pcs$0.21404
- 品番:
- SIJ186DP-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8L.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
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- 競争上の優位性:
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SIJ186DP-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SIJ186DP-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8L
シリーズ :
TrenchFET® Gen IV
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
23A (Ta), 79.4A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.6V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
37nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1710pF @ 30V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
5W (Ta), 57W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース :
PowerPAK® SO-8
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