Diodes Incorporated - DMTH6009LPS-13

KEY Part #: K6403414

DMTH6009LPS-13 価格設定(USD) [260504個在庫]

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品番:
DMTH6009LPS-13
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET N-CH 60V POWERDI5060-8.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMTH6009LPS-13 製品の属性

品番 : DMTH6009LPS-13
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET N-CH 60V POWERDI5060-8
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 11.76A (Ta), 89.5A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 10 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 15.6nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±16V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1925pF @ 30V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.8W (Ta), 136W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerDI5060-8
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN