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- 品番:
- FDBL86063_F085
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH TRENCH PTNG 100V.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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- We specialize in ON Semiconductor FDBL86063_F085 electronic components. FDBL86063_F085 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDBL86063_F085, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDBL86063_F085 製品の属性
品番 :
FDBL86063_F085
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH TRENCH PTNG 100V
シリーズ :
PowerTrench®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
240A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.6 mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
95nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
5120pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
357W (Tj)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-HPSOF
パッケージ/ケース :
8-PowerSFN
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