IXYS - IXFB80N50Q2

KEY Part #: K6397825

IXFB80N50Q2 価格設定(USD) [3169個在庫]

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品番:
IXFB80N50Q2
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFB80N50Q2 製品の属性

品番 : IXFB80N50Q2
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264
シリーズ : HiPerFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 500V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 80A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 60 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5.5V @ 8mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 250nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 15000pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 960W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PLUS264™
パッケージ/ケース : TO-264-3, TO-264AA

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