STMicroelectronics - STP2NK60Z

KEY Part #: K6415851

[12267個在庫]


    品番:
    STP2NK60Z
    メーカー:
    STMicroelectronics
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-アレイ and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in STMicroelectronics STP2NK60Z electronic components. STP2NK60Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP2NK60Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STP2NK60Z 製品の属性

    品番 : STP2NK60Z
    メーカー : STMicroelectronics
    説明 : MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220
    シリーズ : SuperMESH™
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1.4A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 8 Ohm @ 700mA, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 50µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 10nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±30V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 170pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 45W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
    パッケージ/ケース : TO-220-3

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