FQD12P10TM-F085 価格設定（USD） [193761個在庫]
- 1 pcs$0.19089
- 品番:
- FQD12P10TM-F085
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FQD12P10TM-F085 electronic components. FQD12P10TM-F085 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD12P10TM-F085, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQD12P10TM-F085 製品の属性
品番 :
FQD12P10TM-F085
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9.4A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
290 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
27nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
800pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.5W (Ta), 50W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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