メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET P-CH 20V 0.77A DFN1006-3
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
770mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
1.8V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
495 mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id :
700mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
1.5nC @ 8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
76.5pF @ 10V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
3-DFN1006 (1.0x0.6)