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- 品番:
- IXFN100N10S3
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFN100N10S3 electronic components. IXFN100N10S3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN100N10S3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFN100N10S3 製品の属性
品番 :
IXFN100N10S3
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
シリーズ :
HiPerFET™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
100A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
15 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 4mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
180nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4500pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
360W (Tc)
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-227B
パッケージ/ケース :
SOT-227-4, miniBLOC
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