Infineon Technologies - IRFP3077PBF

KEY Part #: K6399975

IRFP3077PBF 価格設定(USD) [19046個在庫]

  • 1 pcs$1.95671
  • 10 pcs$1.74693
  • 100 pcs$1.43254
  • 500 pcs$1.10051
  • 1,000 pcs$0.92814

品番:
IRFP3077PBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 75V 120A TO-247AC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IRFP3077PBF electronic components. IRFP3077PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFP3077PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFP3077PBF 製品の属性

品番 : IRFP3077PBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 75V 120A TO-247AC
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 75V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 120A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3.3 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 220nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 9400pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 340W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247AC
パッケージ/ケース : TO-247-3

あなたも興味があるかもしれません
  • TN2106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3.

  • VN0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3.

  • DN2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3.

  • VP2206N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3.

  • VN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • LP0701N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 16.5V 0.5A TO92-3.