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- 品番:
- BSC032N03SG
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies BSC032N03SG electronic components. BSC032N03SG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC032N03SG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSC032N03SG 製品の属性
品番 :
BSC032N03SG
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
23A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
3.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 70µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
39nC @ 5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
5080pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.8W (Ta), 78W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TDSON-8
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
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