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ON Semiconductor - FDD26AN06A0

KEY Part #: K6411253

[13854個在庫]

    品番:
    FDD26AN06A0
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 60V 36A D-PAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-RF, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor FDD26AN06A0 electronic components. FDD26AN06A0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD26AN06A0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDD26AN06A0 製品の属性

    品番 : FDD26AN06A0
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET N-CH 60V 36A D-PAK
    シリーズ : PowerTrench®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 60V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 7A (Ta), 36A (Tc)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 26 mOhm @ 36A, 10V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 17nC @ 10V
    Vgs（最大） : ±20V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 800pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 75W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-252AA
    パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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