Infineon Technologies - FP100R07N3E4B11BOSA1

KEY Part #: K6533368

FP100R07N3E4B11BOSA1 価格設定(USD) [738個在庫]

  • 1 pcs$62.91519

品番:
FP100R07N3E4B11BOSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
IGBT MODULE VCES 600V 100A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies FP100R07N3E4B11BOSA1 electronic components. FP100R07N3E4B11BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FP100R07N3E4B11BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FP100R07N3E4B11BOSA1 製品の属性

品番 : FP100R07N3E4B11BOSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : IGBT MODULE VCES 600V 100A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
構成 : Three Phase Inverter
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 650V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 100A
パワー-最大 : 335W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 1.95V @ 15V, 100A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 1mA
入力容量(Cies)@ Vce : 6.2nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

あなたも興味があるかもしれません
  • VS-ETL015Y120H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B. Rectifiers 15A Dbl Interleaved Boost Converter

  • CPV364M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 10A IMS-2.

  • APT200GN60JDQ4

    Microsemi Corporation

    IGBT 600V 283A 682W SOT227.

  • MG12400D-BN2MM

    Littelfuse Inc.

    IGBT 1200V 580A 1925W PKG D.

  • MG1275S-BA1MM

    Littelfuse Inc.

    IGBT 1200V 105A 630W PKG S.

  • FP35R12KT4B15BOSA1

    Infineon Technologies

    IGBT MODULE VCES 1200V 35A.