Infineon Technologies - IRFB4620PBF

KEY Part #: K6397963

IRFB4620PBF 価格設定(USD) [35830個在庫]

  • 1 pcs$1.04525
  • 10 pcs$0.94574
  • 100 pcs$0.75994
  • 500 pcs$0.59108
  • 1,000 pcs$0.48975

品番:
IRFB4620PBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IRFB4620PBF electronic components. IRFB4620PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFB4620PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFB4620PBF 製品の属性

品番 : IRFB4620PBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 25A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 72.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 100µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 38nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1710pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 144W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3

あなたも興味があるかもしれません
  • 2N7008-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • IXFY4N60P3

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 4A TO-252.

  • IRFR6215PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.

  • TK5A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 5.4A TO-220SIS.

  • TK65A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 65A TO-220.

  • TK7A60W5,S5VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 7A TO-220SIS.