PMPB20ENZ 価格設定（USD） [780710個在庫]
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- 品番:
- PMPB20ENZ
- メーカー:
- Nexperia USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-RF and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Nexperia USA Inc. PMPB20ENZ electronic components. PMPB20ENZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMPB20ENZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PMPB20ENZ 製品の属性
品番 :
PMPB20ENZ
メーカー :
Nexperia USA Inc.
説明 :
MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
7.2A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
19.5 mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
10.8nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
435pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
DFN2020MD-6
パッケージ/ケース :
6-UDFN Exposed Pad
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