技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
230A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
2.9 mOhm @ 115A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
140nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
7400pF @ 25V
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263AA
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB