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ON Semiconductor - FDB0300N1007L

KEY Part #: K6399244

FDB0300N1007L 価格設定（USD） [27210個在庫]

  • 1 pcs$1.52224
  • 800 pcs$1.51466
品番:
FDB0300N1007L
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDB0300N1007L electronic components. FDB0300N1007L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDB0300N1007L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDB0300N1007L 製品の属性

品番 : FDB0300N1007L
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 200A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 3 mOhm @ 26A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 113nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 8295pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 3.8W (Ta), 250W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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