Infineon Technologies - IPP034N08N5AKSA1

KEY Part #: K6417995

IPP034N08N5AKSA1 価格設定(USD) [48207個在庫]

  • 1 pcs$0.81109
  • 500 pcs$0.76727

品番:
IPP034N08N5AKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH TO220-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IPP034N08N5AKSA1 electronic components. IPP034N08N5AKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP034N08N5AKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP034N08N5AKSA1 製品の属性

品番 : IPP034N08N5AKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH TO220-3
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 80V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 120A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.8V @ 108µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 87nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 6240pF @ 40V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 167W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO220-3
パッケージ/ケース : TO-220-3

あなたも興味があるかもしれません
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • 2N7000TA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • IXTY2N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.

  • IRFR4510TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 100V 56A DPAK.

  • AUIRFR2905Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IPA50R199CPXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 500V 17A TO220-3.