IPI120N06S402AKSA2 価格設定（USD） [61832個在庫]
- 1 pcs$0.63553
- 500 pcs$0.63237
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-アレイ and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPI120N06S402AKSA2 electronic components. IPI120N06S402AKSA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPI120N06S402AKSA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPI120N06S402AKSA2 製品の属性
品番 :
IPI120N06S402AKSA2
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
120A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.8 mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 140µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
195nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
15750pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
188W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO262-3-1
パッケージ/ケース :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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