TPH4R10ANL,L1Q 価格設定（USD） [137732個在庫]
- 1 pcs$0.26854
- 品番:
- TPH4R10ANL,L1Q
- 詳細な説明:
- X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R10ANL,L1Q electronic components. TPH4R10ANL,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPH4R10ANL,L1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPH4R10ANL,L1Q 製品の属性
品番 :
TPH4R10ANL,L1Q
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
シリーズ :
U-MOSVIII-H
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
92A (Ta), 70A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4.1 mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
75nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
6.3nF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.5W (Ta), 67W (Tc)
動作温度 :
150°C
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOP Advance (5x5)
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
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