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- 品番:
- STW8NB100
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 1KV 7.3A TO-247.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STW8NB100 electronic components. STW8NB100 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STW8NB100, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STW8NB100 製品の属性
品番 :
STW8NB100
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 1KV 7.3A TO-247
シリーズ :
PowerMESH™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1000V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
7.3A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.45 Ohm @ 3.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
95nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2900pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
190W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247-3
パッケージ/ケース :
TO-247-3
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