Vishay Siliconix - SI7456DDP-T1-GE3

KEY Part #: K6419393

SI7456DDP-T1-GE3 価格設定(USD) [109266個在庫]

  • 1 pcs$0.33851
  • 3,000 pcs$0.31715

品番:
SI7456DDP-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 27.8A PPAK SO-8.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SI7456DDP-T1-GE3 electronic components. SI7456DDP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7456DDP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7456DDP-T1-GE3 製品の属性

品番 : SI7456DDP-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 100V 27.8A PPAK SO-8
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 27.8A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 23 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.8V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 29.5nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 900pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 5W (Ta), 35.7W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース : PowerPAK® SO-8

あなたも興味があるかもしれません