[1542個在庫]
- 品番:
- 2SJ652-RA11
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-JFET and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor 2SJ652-RA11 electronic components. 2SJ652-RA11 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2SJ652-RA11, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
2SJ652-RA11 製品の属性
品番 :
2SJ652-RA11
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
28A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
38 mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
-
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
80nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4360pF @ 20V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
-
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220ML
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack
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