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ON Semiconductor - FCB260N65S3

KEY Part #: K6397480

FCB260N65S3 価格設定（USD） [78178個在庫]

  • 1 pcs$0.50016
品番:
FCB260N65S3
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 650V 260MOHM D2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FCB260N65S3 electronic components. FCB260N65S3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCB260N65S3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCB260N65S3 製品の属性

品番 : FCB260N65S3
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 650V 260MOHM D2PAK
シリーズ : SuperFET® III
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 12A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 260 mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4.5V @ 1.2mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 24nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1010pF @ 400V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 90W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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