Infineon Technologies - 6MS24017E33W32860NOSA1

KEY Part #: K6532484

6MS24017E33W32860NOSA1 価格設定(USD) [2個在庫]

  • 1 pcs$8449.92191

品番:
6MS24017E33W32860NOSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MODULE IGBT STACK A-MS3-1.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-JFET, ダイオード-RF and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies 6MS24017E33W32860NOSA1 electronic components. 6MS24017E33W32860NOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 6MS24017E33W32860NOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

6MS24017E33W32860NOSA1 製品の属性

品番 : 6MS24017E33W32860NOSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MODULE IGBT STACK A-MS3-1
シリーズ : ModSTACK™ 3
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : -
構成 : Three Phase Inverter
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : -
電流-コレクター(Ic)(最大) : -
パワー-最大 : -
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.4V @ 15V, 1200A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : -
入力容量(Cies)@ Vce : -
入力 : Standard
NTCサーミスタ : No
動作温度 : -25°C ~ 55°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

あなたも興味があるかもしれません
  • GA100SICP12-227

    GeneSiC Semiconductor

    SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV.

  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.