Vishay Siliconix - SUM90N03-2M2P-E3

KEY Part #: K6399212

SUM90N03-2M2P-E3 価格設定(USD) [50705個在庫]

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品番:
SUM90N03-2M2P-E3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-シングル and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SUM90N03-2M2P-E3 製品の属性

品番 : SUM90N03-2M2P-E3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 90A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2.2 mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 257nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 12065pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.75W (Ta), 250W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-263 (D2Pak)
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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