NTRV4101PT1G 価格設定（USD） [2919個在庫]
- 3,000 pcs$0.06676
- 品番:
- NTRV4101PT1G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT-23-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-トライアック and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NTRV4101PT1G electronic components. NTRV4101PT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTRV4101PT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTRV4101PT1G 製品の属性
品番 :
NTRV4101PT1G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT-23-3
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.8A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.8V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
85 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
8.5nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
675pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
420mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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