Microchip Technology - VP2206N3-G-P003

KEY Part #: K6392765

VP2206N3-G-P003 価格設定(USD) [60530個在庫]

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品番:
VP2206N3-G-P003
メーカー:
Microchip Technology
詳細な説明:
MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VP2206N3-G-P003 製品の属性

品番 : VP2206N3-G-P003
メーカー : Microchip Technology
説明 : MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 640mA (Tj)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 900 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 10mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : -
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 450pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 740mW (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-92-3
パッケージ/ケース : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
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