STP32N65M5 価格設定（USD） [9185個在庫]
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- 100 pcs$3.31825
- 品番:
- STP32N65M5
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 650V 24A TO-220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STP32N65M5 electronic components. STP32N65M5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP32N65M5, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STP32N65M5 製品の属性
品番 :
STP32N65M5
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 650V 24A TO-220
シリーズ :
MDmesh™ V
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
24A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
119 mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
72nC @ 10V
Vgs（最大） :
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3320pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
150W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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