IXFN30N120P 価格設定（USD） [2124個在庫]
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- 10 pcs$21.41002
- 品番:
- IXFN30N120P
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFN30N120P electronic components. IXFN30N120P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN30N120P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFN30N120P 製品の属性
品番 :
IXFN30N120P
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B
シリーズ :
Polar™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
30A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
350 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
6.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
310nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
19000pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
890W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-227B
パッケージ/ケース :
SOT-227-4, miniBLOC
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