Infineon Technologies - BSS126 E6906

KEY Part #: K6409945

[106個在庫]


    品番:
    BSS126 E6906
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Infineon Technologies BSS126 E6906 electronic components. BSS126 E6906 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSS126 E6906, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSS126 E6906 製品の属性

    品番 : BSS126 E6906
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
    シリーズ : SIPMOS®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 21mA (Ta)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 0V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 500 Ohm @ 16mA, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 1.6V @ 8µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 2.1nC @ 5V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 28pF @ 25V
    FET機能 : Depletion Mode
    消費電力(最大) : 500mW (Ta)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-23-3
    パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    あなたも興味があるかもしれません
    • FDD6670AS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 30V 76A DPAK.

    • FDD8586

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FDD8580

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FCD4N60TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK.

    • 2SK2231(TE16R1,NQ)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD.

    • BSS84P E6433

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23.