DMG4435SSS-13 価格設定（USD） [377634個在庫]
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- 2,500 pcs$0.08766
- 品番:
- DMG4435SSS-13
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-JFET, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMG4435SSS-13 electronic components. DMG4435SSS-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMG4435SSS-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMG4435SSS-13 製品の属性
品番 :
DMG4435SSS-13
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
7.3A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
5V, 20V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
16 mOhm @ 11A, 20V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
35.4nC @ 10V
Vgs（最大） :
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1614pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.5W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOP
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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