STMicroelectronics - STH270N8F7-2

KEY Part #: K6397000

STH270N8F7-2 価格設定(USD) [19527個在庫]

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品番:
STH270N8F7-2
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STH270N8F7-2 製品の属性

品番 : STH270N8F7-2
メーカー : STMicroelectronics
説明 : MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
シリーズ : DeepGATE™, STripFET™ VII
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 80V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 180A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2.1 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 193nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 13600pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 315W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : H²PAK
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant

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