IXYS - IXFP4N60P3

KEY Part #: K6395252

IXFP4N60P3 価格設定(USD) [56000個在庫]

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品番:
IXFP4N60P3
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-JFET and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFP4N60P3 製品の属性

品番 : IXFP4N60P3
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 600V 4A TO-220AB
シリーズ : HiPerFET™, Polar3™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2.2 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 6.9nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 365pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 114W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3