Vishay Siliconix - SI4114DY-T1-E3

KEY Part #: K6419364

SI4114DY-T1-E3 価格設定(USD) [107279個在庫]

  • 1 pcs$0.34478
  • 2,500 pcs$0.32302

品番:
SI4114DY-T1-E3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, パワードライバーモジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SI4114DY-T1-E3 electronic components. SI4114DY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4114DY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4114DY-T1-E3 製品の属性

品番 : SI4114DY-T1-E3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 20A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 6 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 95nC @ 10V
Vgs(最大) : ±16V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3700pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

あなたも興味があるかもしれません